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臺積電封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求 蘋果高通轉(zhuǎn)向英特爾尋求破局

時(shí)間:2010-12-5 17:23:32  作者:知識   來源:百科  查看:  評論:0
內(nèi)容摘要:11月18日消息,據(jù)媒體報(bào)道,全球AI芯片與高性能計(jì)算需求激增,推動臺積電CoWoSChip on Wafer on Substrate)先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求暴漲。盡管臺積電持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),產(chǎn)能缺口仍成為制約A

11月18日消息,臺積通轉(zhuǎn)特?fù)?jù)媒體報(bào)道,電封全球AI芯片與高性能計(jì)算需求激增,裝產(chǎn)推動臺積電CoWoS(Chip on 求蘋Wafer on Substrate)先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求暴漲。

盡管臺積電持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),果高產(chǎn)能缺口仍成為制約AI/HPC芯片供應(yīng)的向英尋求關(guān)鍵瓶頸,部分客戶開始評估英特爾等替代方案。破局

分析認(rèn)為,臺積通轉(zhuǎn)特由于臺積電CoWoS產(chǎn)能目前主要被英偉達(dá)、電封AMD 與大型云端客戶包攬,裝產(chǎn)新客戶的求蘋排單彈性有限,使得其他芯片大廠開始積極評估其他先進(jìn)封裝技術(shù),果高而在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域,向英尋求英特爾的破局技術(shù)實(shí)力與臺積電相當(dāng)。

目前,臺積通轉(zhuǎn)特英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)主要分為2.5D 的EMIB(Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)以及3D 的Foveros。

業(yè)界普遍關(guān)注的臺積電CoWoS則屬于2.5D 大型硅中介層封裝,是目前支持最多顆HBM 堆疊、也是AI GPU 最主要采用的技術(shù)。與英特爾的兩項(xiàng)方案相比,CoWoS 成熟度高、產(chǎn)能規(guī)模最大,并擁有廣泛的HPC/GPU 客戶,因此仍是市場主流。

行業(yè)分析指出,伴隨AI、數(shù)據(jù)中心及定制化芯片需求爆發(fā),頭部芯片廠商正積極重構(gòu)供應(yīng)鏈組合。蘋果與高通在人才招聘中明確要求英特爾封裝技術(shù)經(jīng)驗(yàn),釋放出供應(yīng)鏈多元化信號。

未來先進(jìn)封裝領(lǐng)域可能從臺積電CoWoS單極主導(dǎo),逐步轉(zhuǎn)向“臺積電-英特爾雙供應(yīng)”格局,以增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈抗風(fēng)險(xiǎn)能力。

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