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內(nèi)容摘要：12月22日消息，據(jù)報(bào)道，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭三星與SK海力士正加快內(nèi)存生產(chǎn)，以應(yīng)對(duì)來(lái)自AI的需求。報(bào)道稱，三星電子近期不僅提升了韓國(guó)國(guó)內(nèi)DRAM和NAND閃存的產(chǎn)線利用率，更重點(diǎn)擴(kuò)大了高帶寬內(nèi)存HB

12月22日消息，內(nèi)存據(jù)報(bào)道，短缺動(dòng)擴(kuò)韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭三星與SK海力士正加快內(nèi)存生產(chǎn)，有救以應(yīng)對(duì)來(lái)自AI的韓國(guó)海力需求。

報(bào)道稱，廠星產(chǎn)三星電子近期不僅提升了韓國(guó)國(guó)內(nèi)DRAM和NAND閃存的士啟產(chǎn)線利用率，更重點(diǎn)擴(kuò)大了高帶寬內(nèi)存（HBM）等高端產(chǎn)品的內(nèi)存產(chǎn)出。

另外三星在11月決定平澤五廠恢復(fù)施工，短缺動(dòng)擴(kuò)預(yù)定2028年開(kāi)始量產(chǎn)，有救以強(qiáng)化該公司的韓國(guó)海力滿足先進(jìn)存儲(chǔ)芯片需求的能力。

至于SK海力士，廠星產(chǎn)其位于清州的士啟M15X新廠正緊鑼密鼓準(zhǔn)備投產(chǎn)，該廠將聚焦于DRAM和其他AI導(dǎo)向的內(nèi)存存儲(chǔ)產(chǎn)品。

業(yè)界高層表示，短缺動(dòng)擴(kuò)SK海力士正試圖趕在原定的有救2027年前，完成位于龍仁半導(dǎo)體園區(qū)內(nèi)的首座晶圓廠，該設(shè)施規(guī)模相當(dāng)于六座M15X晶圓廠。

由于AI相關(guān)需求預(yù)期在未來(lái)幾年持續(xù)激增，產(chǎn)能被視為競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵決定因素，根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2026年前達(dá)到1700億美元，高于2024年的1000億美元。