1月8日消息，國(guó)內(nèi)工程“上海市先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心”公眾號(hào)發(fā)文，首條式通國(guó)內(nèi)首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線在上海投入運(yùn)行。維半

該工藝線由復(fù)旦大學(xué)孵化培育的導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研企業(yè)“原集微”創(chuàng)建，預(yù)計(jì)于6月進(jìn)入通線階段，化示并在第三季度實(shí)現(xiàn)等效硅基90納米制程。范線

集成電路是投運(yùn)上海市三大先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，而二維半導(dǎo)體作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的計(jì)劃今年前沿方向，被視為破解芯片發(fā)展瓶頸的月正關(guān)鍵突破口。二維半導(dǎo)體憑借其原子級(jí)厚度、國(guó)內(nèi)工程高載流子遷移率等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，首條式通有望突破硅基技術(shù)路線下摩爾定律逐漸失效的維半困境，在高頻通信、導(dǎo)體柔性電子及量子計(jì)算等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景?；?/p>

目前，范線最常見的芯片仍基于硅基材料制造。但隨著晶體管尺寸持續(xù)微縮，硅基芯片的制造難度呈指數(shù)級(jí)上升。有觀點(diǎn)形象地比喻：硅基晶體管如同水龍頭，電子如同水流；當(dāng)“水管”越來(lái)越細(xì)，“內(nèi)壁”會(huì)變得粗糙，導(dǎo)致“水流”速度下降、效率降低。

相較之下，二維半導(dǎo)體材料的厚度僅為原子級(jí)別，突破了硅基材料的物理極限，從而有效解決了硅基芯片中“電子逃逸”等難題。當(dāng)前，美國(guó)、歐盟等均已加大在二維半導(dǎo)體材料科研與產(chǎn)業(yè)化方面的投入。

復(fù)旦大學(xué)校長(zhǎng)金力表示，該校是國(guó)內(nèi)二維材料研究的重要力量，在集成電路設(shè)計(jì)、工藝迭代與邏輯驗(yàn)證等領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，為技術(shù)轉(zhuǎn)化奠定了扎實(shí)基礎(chǔ)。原集微工藝線的投運(yùn)，正是復(fù)旦大學(xué)“基礎(chǔ)研究—應(yīng)用研究—產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化”全鏈條創(chuàng)新能力的一次集中體現(xiàn)。

原集微創(chuàng)始人包文中進(jìn)一步透露：“我們計(jì)劃在未來(lái)2到3年內(nèi)，依托該示范線的工藝能力，實(shí)現(xiàn)等效硅基5納米乃至3納米的性能水平，并力爭(zhēng)在4年內(nèi)展示等效硅基1納米性能的解決方案。”

(責(zé)任編輯：休閑)