12月31日消息，內(nèi)存R年年還過去的價格一年，全球內(nèi)存市場經(jīng)歷了一場前所未有的坐上漲“價格風暴”，受供應短缺及產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能分配調(diào)整的火箭影響，內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價格一路走高。暴漲

其中，內(nèi)存R年年還DDR4 16Gb內(nèi)存模塊的價格表現(xiàn)最為驚人，自2024年底以來漲幅高達1800%，坐上漲刷新了近年來的火箭市場紀錄。

根據(jù)DIGITIMES Research的暴漲數(shù)據(jù)，2024年底至2025年12月期間，內(nèi)存R年年還DDR5 16Gb現(xiàn)貨價格上漲超過500%，價格從4.6美元漲至28美元；DDR4 16Gb內(nèi)存模塊價格上漲1800%，坐上漲從約3.2美元漲至62美元以上。火箭

在2025年12月，暴漲DDR5 16Gb現(xiàn)貨價格環(huán)比上漲約16%，此前11月漲幅高達50%，平均價格約為每條28美元。

與此同時，DDR4 16Gb和8Gb內(nèi)存條價格繼續(xù)上漲，12月價格分別上漲至約62美元和超過23美元，較11月上漲約46%。

盡管12月的漲幅不及11月的50%-60%峰值，但整體上漲趨勢仍在持續(xù)。

NAND閃存市場也未能幸免，2025年12月，512Gb閃存晶圓價格從10月的5美元上漲至12月中旬的約11美元，月漲幅超過20%。

展望2026年，市場預測內(nèi)存價格將繼續(xù)上漲，受內(nèi)存供需持續(xù)失衡的影響，合約價格預計將在2026年第一季度繼續(xù)攀升，預計漲幅將達到30%-40%。

其中，DDR5 RDIMM內(nèi)存價格預計將上漲超過40%，NAND閃存價格預計將出現(xiàn)兩位數(shù)百分比的漲幅。

市場預計2026年下半年價格漲幅將有所放緩，但整體仍將維持在高位，不會出現(xiàn)大幅下跌。

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