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臺積電3nm計劃提前一年落地美國!防止對手搶占先機

12月30日消息,臺積據(jù)報道,電n對手臺積電已決定將其亞利桑那州二廠的劃提3nm先進制程量產(chǎn)時間提前至2027年,比原計劃的前年搶占2028年足足提早了一年。

臺積電的落地亞利桑那工廠是該公司最大的投資項目之一,計劃投資高達3000億美元,美國目前第一座工廠已經(jīng)開始4nm制程的防止生產(chǎn),而第二座工廠則計劃在2027年實現(xiàn)3nm的先機量產(chǎn)。

臺積電加速生產(chǎn)節(jié)奏的臺積核心動力源于其美國客戶,如蘋果、電n對手英偉達、劃提AMD對先進制程的前年搶占巨大渴求,尤其是落地4nm、3nm甚至2nm制程,美國因此亞利桑那工廠的防止升級勢在必行。

臺積電提速的另一個重要原因,在于區(qū)域競爭的白熱化,Intel位于亞利桑那州的Fab 52正在推進18A(1.8nm級)制程,試圖在本土市場實現(xiàn)技術(shù)反超。

而三星已決定在其德州泰勒工廠直接引入2nm SF2工藝,并成功吸引了特斯拉等大客戶,直接威脅臺積電的霸主地位。

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