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華邦電子推出8Gb DDR4 DRAM:16nm制程 用于工業(yè)和嵌入式應(yīng)用

12月5日消息,華邦和嵌華邦電子官宣推出全新8Gb DDR4 DRAM,電推該產(chǎn)品采用華邦自有先進16nm制程技術(shù),制程提供更高速度、用于應(yīng)用更低功耗及更具成本效益的工業(yè)解決方案,適用于電視、入式服務(wù)器、華邦和嵌網(wǎng)通設(shè)備、電推工業(yè)計算機及嵌入式應(yīng)用等多元市場。制程

得益于16nm制程,用于應(yīng)用新一代DDR4產(chǎn)品在性能上取得重要突破。工業(yè)與前代技術(shù)相比,入式該制程具備更小的華邦和嵌晶粒尺寸、更高的電推晶圓產(chǎn)出率及更優(yōu)的能效表現(xiàn),幫助客戶在封裝尺寸不變的制程情況下集成更高容量的DRAM。

制程優(yōu)化還提升了信號完整性,降低漏電率,確保產(chǎn)品在高達(dá)3600Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率下保持穩(wěn)定運行。

作為業(yè)內(nèi)首款支持3600Mbps傳輸速率的DDR4產(chǎn)品,華邦8Gb DDR4 DRAM超越了現(xiàn)有DDR4標(biāo)準(zhǔn),能夠滿足高速運算應(yīng)用的數(shù)據(jù)處理需求。借助16nm技術(shù)帶來的芯片面積縮小,該產(chǎn)品可在同等封裝中提供更大容量,有助于進一步降低系統(tǒng)整體成本。

華邦電子擁有從設(shè)計、16nm制程開發(fā)到制造的全流程自有能力,能夠為工業(yè)級客戶及KGD(良品裸晶圓)用戶提供可靠的供應(yīng)鏈支持與專業(yè)售后服務(wù)。

基于同一16nm制程平臺,華邦還在同步開發(fā)另外三款DRAM產(chǎn)品,包括CUBE、8Gb LPDDR4及16Gb DDR4,以進一步拓展其新一代內(nèi)存產(chǎn)品布局。

(責(zé)任編輯:百科)

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