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三星計(jì)劃擴(kuò)大1cnm DRAM生產(chǎn)：目標(biāo)2026年月產(chǎn)能達(dá)20萬(wàn)片晶圓

發(fā)布時(shí)間：2025-12-30 16:10:01 作者：玩站小弟

11月19日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星正加速提升1cnm DRAM的產(chǎn)能，以搶占HBM4市場(chǎng)的先機(jī)。按照規(guī)劃，其目標(biāo)是在2026年第二季度將月產(chǎn)能提升至14萬(wàn)片晶圓，并于第四季度進(jìn)一步增至每月20萬(wàn)片晶圓。

11月19日消息，星計(jì)據(jù)媒體報(bào)道，劃擴(kuò)三星正加速提升1cnm DRAM的大c達(dá)萬(wàn)產(chǎn)能，以搶占HBM4市場(chǎng)的生產(chǎn)先機(jī)。按照規(guī)劃，目標(biāo)其目標(biāo)是年月在2026年第二季度將月產(chǎn)能提升至14萬(wàn)片晶圓，并于第四季度進(jìn)一步增至每月20萬(wàn)片晶圓。片晶這些節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)設(shè)備設(shè)置階段，星計(jì)目標(biāo)是劃擴(kuò)在每個(gè)階段實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)準(zhǔn)備。

目前，大c達(dá)萬(wàn)三星的生產(chǎn)DRAM總產(chǎn)能約為每月65萬(wàn)至70萬(wàn)片晶圓。這意味著最新的目標(biāo)1cnm DRAM產(chǎn)能將在短時(shí)間內(nèi)達(dá)到總產(chǎn)能的約30%，其增產(chǎn)速度已超過(guò)2022年半導(dǎo)體熱潮期間月增13萬(wàn)片晶圓的年月擴(kuò)張規(guī)模。

為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，片晶三星一方面通過(guò)對(duì)現(xiàn)有DRAM生產(chǎn)線進(jìn)行技術(shù)改造實(shí)現(xiàn)過(guò)渡，星計(jì)另一方面則依托位于平澤的P4工廠進(jìn)行新增投資。

這一積極擴(kuò)產(chǎn)舉措，反映出三星對(duì)1cnm DRAM技術(shù)與市場(chǎng)需求的高度信心。在人工智能驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)勁需求下，近期DRAM市場(chǎng)已出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。

面對(duì)同樣機(jī)遇，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士也計(jì)劃于2025年內(nèi)啟動(dòng)1cnm DRAM的量產(chǎn)，并于2026年全面投產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2026年底，其韓國(guó)國(guó)內(nèi)通用DRAM產(chǎn)量中將有超過(guò)一半來(lái)自1cnm工藝，并形成包括LPDDR與GDDR在內(nèi)的完整1cnm產(chǎn)品陣容。