12月31日消息，內(nèi)存R年年還過去的價(jià)格一年，全球內(nèi)存市場(chǎng)經(jīng)歷了一場(chǎng)前所未有的坐上漲“價(jià)格風(fēng)暴”，受供應(yīng)短缺及產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能分配調(diào)整的火箭影響，內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)格一路走高。暴漲
其中，內(nèi)存R年年還DDR4 16Gb內(nèi)存模塊的價(jià)格表現(xiàn)最為驚人，自2024年底以來(lái)漲幅高達(dá)1800%，坐上漲刷新了近年來(lái)的火箭市場(chǎng)紀(jì)錄。
根據(jù)DIGITIMES Research的暴漲數(shù)據(jù)，2024年底至2025年12月期間，內(nèi)存R年年還DDR5 16Gb現(xiàn)貨價(jià)格上漲超過500%，價(jià)格從4.6美元漲至28美元；DDR4 16Gb內(nèi)存模塊價(jià)格上漲1800%，坐上漲從約3.2美元漲至62美元以上?；鸺?/strong>
在2025年12月，暴漲DDR5 16Gb現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比上漲約16%，此前11月漲幅高達(dá)50%，平均價(jià)格約為每條28美元。
與此同時(shí)，DDR4 16Gb和8Gb內(nèi)存條價(jià)格繼續(xù)上漲，12月價(jià)格分別上漲至約62美元和超過23美元，較11月上漲約46%。
盡管12月的漲幅不及11月的50%-60%峰值，但整體上漲趨勢(shì)仍在持續(xù)。
NAND閃存市場(chǎng)也未能幸免，2025年12月，512Gb閃存晶圓價(jià)格從10月的5美元上漲至12月中旬的約11美元，月漲幅超過20%。
展望2026年，市場(chǎng)預(yù)測(cè)內(nèi)存價(jià)格將繼續(xù)上漲，受內(nèi)存供需持續(xù)失衡的影響，合約價(jià)格預(yù)計(jì)將在2026年第一季度繼續(xù)攀升，預(yù)計(jì)漲幅將達(dá)到30%-40%。
其中，DDR5 RDIMM內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲超過40%，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將出現(xiàn)兩位數(shù)百分比的漲幅。
市場(chǎng)預(yù)計(jì)2026年下半年價(jià)格漲幅將有所放緩，但整體仍將維持在高位，不會(huì)出現(xiàn)大幅下跌。
