1月10日消息，臺積臺積電去年底悄然宣布2nm工藝已經(jīng)如期量產(chǎn)，首次升級索這代工藝將會是晶體將探今年的重點，AMD的管架構EPYC Venice處理器會首發(fā)。

接下來蘋果iPhone 18的臺積A20、高通的首次升級索驍龍8E6 Pro、聯(lián)發(fā)科的晶體將探天璣9600等下代芯片也會是2nm工藝，為此臺積電一年內(nèi)就會把2nm產(chǎn)能從3.5萬片晶圓/月提升到14萬片晶圓/月，管架構成為營收的臺積主力來源之一。

2nm工藝在臺積電的首次升級索工藝研發(fā)史上也會是非常重要的一代，臺積電日前在采訪中提到這是晶體將探公司歷史上第二次采用全新的晶體管架構，升級到了GAA晶體管架構。管架構

臺積電上一次換晶體管架構還是臺積2014年推出16nm工藝，當時首次從平面晶體管升級到了FinFET這種3D晶體管。首次升級索

說到這里，晶體將探難免要感慨一件事——十幾年前Intel自信自己的工藝領先友商三年半，這話不是吹牛，他們在2011年就開始量產(chǎn)22nm 3D晶體管工藝，22年的IVB處理器上正式首發(fā)，彼時臺積電、三星還在量產(chǎn)28nm工藝，技術差距比現(xiàn)在臺積電對Intel的優(yōu)勢還要大。

如今時代變了，臺積電在先進工藝上反而是最穩(wěn)妥但最快速量產(chǎn)的，2nm工藝只上了GAA晶體管，接下來的1.6nm工藝A16則會再上背面供電技術，進一步提升密度和性能，尤其適合HPC高性能計算產(chǎn)品。

A16之后還有1.4nm級別的A14工藝，也會繼續(xù)改進GAA及背面供電技術。

再往后就要到1nm節(jié)點了，目前還沒有哪家廠商敢說搞定1nm及以下工藝的量產(chǎn)，還在研發(fā)階段，晶體管結構可能會再次升級到CFET晶體管，進一步提高微縮水平。

同時半導體材料也會持續(xù)進化，臺積電已經(jīng)在探索2D材料甚至1D材料，有望進一步解決晶體管尺寸縮小的問題。

不過臺積電這些技術還是在探索階段，并沒有進入真正的研發(fā)階段，所以未來不確定性極強，現(xiàn)在猜測1nm及以下工藝量產(chǎn)時間及性能都太早了。