內(nèi)存漲價(jià)的數(shù)碼說再持續(xù)時(shí)間及烈度，可能被所有人低估了。產(chǎn)品

據(jù)科技媒體Wccftech報(bào)道，和們一份源于SK海力士?jī)?nèi)部會(huì)議的數(shù)碼說再文件表示，全球DRAM供不應(yīng)求的產(chǎn)品情況預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年底。

這個(gè)判斷著實(shí)是和們遠(yuǎn)超出了行業(yè)此前的預(yù)期，比如在上個(gè)月的數(shù)碼說再小米三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，盧偉冰就曾表示，產(chǎn)品現(xiàn)在各家（手機(jī)廠商）普遍承受著源自存儲(chǔ)芯片成本的和們壓力，而且明年的數(shù)碼說再產(chǎn)品零售價(jià)還會(huì)有較大幅度上漲，直到2027年，產(chǎn)品這種供需失衡的和們問題才有望扭轉(zhuǎn)。

盧偉冰提到的數(shù)碼說再“2027年”，實(shí)際上也是產(chǎn)品目前行業(yè)普遍認(rèn)為存儲(chǔ)周期逆轉(zhuǎn)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)。

原因在于，和們?nèi)髢?nèi)存廠商的新增產(chǎn)能基本都在2024年上半年開始布局。按照存儲(chǔ)行業(yè)“3個(gè)月規(guī)劃——12個(gè)月廠房建設(shè)——12個(gè)月設(shè)備調(diào)試——6個(gè)月產(chǎn)能與良率爬坡”的一般規(guī)律，最遲到2027年上半年，這波新增的DRAM產(chǎn)能就會(huì)投放到市場(chǎng)中，從而使價(jià)格周期反轉(zhuǎn)。

但SK海力士的這份報(bào)告無疑表明，即便是等到新增DRAM產(chǎn)能釋放，也完全不足以抵消掉市場(chǎng)需求。

那么內(nèi)存市場(chǎng)如此嚴(yán)重的供需錯(cuò)配，根源究竟在哪里？對(duì)于普通消費(fèi)者來說，又會(huì)帶來什么樣的持續(xù)性影響？

誰在搶奪DRAM？

我們用一類最有代表性的產(chǎn)品——電腦內(nèi)存條，去看下DRAM在今年的漲價(jià)幅度。

在今年年初，DDR5 16GB（5600MHz）內(nèi)存條在電商平臺(tái)的報(bào)價(jià)在300元左右，而當(dāng)前同規(guī)格內(nèi)存條的電商平臺(tái)價(jià)格最低為899元，相當(dāng)于在不到一年的時(shí)間里，價(jià)格上漲了200%。

手機(jī)上的LPDDR價(jià)格，由于廠商有穩(wěn)定的備貨周期和合約價(jià)格，漲幅會(huì)好一些，但根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，今年Q4 LPDDR5X的價(jià)格環(huán)比年初也上漲了83%。

價(jià)格上漲源于供需失衡，那么市場(chǎng)需求為什么會(huì)如此旺盛？一句話總結(jié)：AI芯片需求暴漲疊加大模型進(jìn)入推理階段的結(jié)果。

分階段來看，自2023年開始，AI芯片需求暴增，而在最常見的GPU加速卡中，HBM存儲(chǔ)顆粒的BOM成本要占到一半以上，這讓SK海力士這類DRAM廠商賺得盆滿缽滿的同時(shí)，也開始主動(dòng)調(diào)整產(chǎn)能分配，去生產(chǎn)附加值更高的HBM芯片。

這就導(dǎo)致應(yīng)用在消費(fèi)電子及傳統(tǒng)服務(wù)器領(lǐng)域的DDR內(nèi)存供給減少，因此價(jià)格開始一路飆升。

當(dāng)然，如果只是調(diào)整部分產(chǎn)能到HBM上，DDR的價(jià)格上漲可能還不會(huì)失控，畢竟消費(fèi)電子和傳統(tǒng)服務(wù)器側(cè)，實(shí)際上是DRAM廠商更穩(wěn)定的收入來源。

但問題是，當(dāng)大模型進(jìn)入推理階段后，AI芯片廠商發(fā)現(xiàn)，在某些場(chǎng)景下，好像也沒必要去買昂貴的HBM芯片了，原本在GPU加速卡中作為輔助存儲(chǔ)的DDR內(nèi)存同樣可以勝任。

比如在上下文推理任務(wù)中，HBM芯片能提供的超高瞬時(shí)帶寬完全用不上，相反該場(chǎng)景更看重內(nèi)存總?cè)萘康膯栴}，DDR內(nèi)存很符合這一特性，既沒有冗余的瞬時(shí)帶寬，也可以利用多通道靈活擴(kuò)展總?cè)萘俊?/p>

另外，由于推理場(chǎng)景大多涉及運(yùn)營(yíng)成本的問題，因此用于推理的芯片格外注重成本與功耗問題。

所以可以看到，即便是英偉達(dá)這個(gè)全球HBM消耗量最大的企業(yè)，今年也推出了專用于處理超長(zhǎng)上下文的Rubin CPX芯片——由于其大范圍使用DDR內(nèi)存，成本要比目前的Blackwell系列芯片便宜得多。

而且考慮到視頻、編程這類常見的需要超長(zhǎng)上下文窗口的應(yīng)用需求旺盛，未來這類依靠DDR打造的芯片恐怕只增不減。

結(jié)構(gòu)優(yōu)化后，誰來買單？

按照SK海力士?jī)?nèi)部推算，DRAM供需關(guān)系的緊張將持續(xù)未來三年，那么作為普通消費(fèi)者，會(huì)受到什么樣的影響？

最直觀的，就是包括手機(jī)電腦在類的五花八門數(shù)碼產(chǎn)品價(jià)格會(huì)普遍上漲，而且上漲的幅度無法預(yù)測(cè)。

過去消費(fèi)電子廠商普遍在內(nèi)存周期下，用鎖長(zhǎng)約的方式去壓低存儲(chǔ)芯片的采購價(jià)格，但在AI芯片廠商面前，DDR內(nèi)存價(jià)格波動(dòng)可能就“不算事”。

上文中我們提到了，針對(duì)涉及上下文窗口的推理場(chǎng)景，完全可以使用DDR內(nèi)存去替代HBM芯片，那么兩者價(jià)格差了多少呢？比如在同一枚芯片中，HBM3e的每GB成本大概是10-17美元，而DDR5的每GB成本大概在1.5-2.2美元。

那么對(duì)于存儲(chǔ)廠商來說，下一輪新增的DDR產(chǎn)能該優(yōu)先供給哪一側(cè)就很明顯了。

而對(duì)于消費(fèi)電子廠商而言，在面對(duì)“史上最長(zhǎng)內(nèi)存價(jià)格周期”時(shí)，如果是一味地漲價(jià)也解決不了問題，大概率都會(huì)采用優(yōu)化出貨結(jié)構(gòu)的方式，去平衡內(nèi)存成本壓力，比如減少中低端產(chǎn)品系列出貨，提高高端產(chǎn)品或旗艦產(chǎn)品的出貨比例。

因此，未來幾年，一個(gè)肉眼可見的趨勢(shì)，大概就是“相對(duì)平價(jià)”的電子產(chǎn)品在市面上將會(huì)愈發(fā)減少。

即便是到了2028年底，SK海力士預(yù)測(cè)的DRAM供需反轉(zhuǎn)會(huì)發(fā)生，之前那種“性價(jià)比”產(chǎn)品可能也不會(huì)第一時(shí)間回到市場(chǎng)。

一方面，存儲(chǔ)價(jià)格波動(dòng)向下游傳導(dǎo)需要時(shí)間；另一方面，回歸過去的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，這既不符合廠商利益，也不符合行業(yè)發(fā)展規(guī)律。