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三星2nm工藝細(xì)節(jié)公布:能效提升8% 良品率不足60%

11月18日消息,星n效提據(jù)媒體報(bào)道,藝細(xì)三星電子首次公布2nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展及技術(shù)指標(biāo):相較3nm制程,布能不足新工藝實(shí)現(xiàn)性能提升5%、升良能效優(yōu)化8%、品率芯片面積縮減5%。星n效提

盡管提升幅度低于業(yè)界預(yù)測,藝細(xì)但標(biāo)志著GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管架構(gòu)在更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的布能不足持續(xù)演進(jìn)。

據(jù)悉,升良三星首款采用2nm工藝的品率SoC為自研Exynos 2600,傳聞當(dāng)前良品率介于50%-60%。星n效提該芯片的藝細(xì)量產(chǎn)效能將直接驗(yàn)證三星代工技術(shù)實(shí)力,尤其在高難度10nm以下制程中,布能不足良品率突破已成為爭奪客戶的升良核心競爭力。

目前,品率全球晶圓代工市場主要由臺積電占據(jù),市場份額70.2%額穩(wěn)居第一。雖然三星排在第二,但是市場占有率僅為7.3%,相差了接近十倍。

三星已經(jīng)為晶圓代工業(yè)務(wù)設(shè)定新目標(biāo),希望通過提高2nm工藝的良品率以及與利潤豐厚的客戶建立長期業(yè)務(wù)關(guān)系,在兩年內(nèi)實(shí)現(xiàn)盈利,并占據(jù)20%的市場份額。

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