12月30日消息，臺(tái)積據(jù)報(bào)道，電n對(duì)手臺(tái)積電已決定將其亞利桑那州二廠的劃提3nm先進(jìn)制程量產(chǎn)時(shí)間提前至2027年，比原計(jì)劃的前年搶占2028年足足提早了一年。

臺(tái)積電的落地亞利桑那工廠是該公司最大的投資項(xiàng)目之一，計(jì)劃投資高達(dá)3000億美元，美國(guó)目前第一座工廠已經(jīng)開(kāi)始4nm制程的防止生產(chǎn)，而第二座工廠則計(jì)劃在2027年實(shí)現(xiàn)3nm的先機(jī)量產(chǎn)。

臺(tái)積電加速生產(chǎn)節(jié)奏的臺(tái)積核心動(dòng)力源于其美國(guó)客戶，如蘋果、電n對(duì)手英偉達(dá)、劃提AMD對(duì)先進(jìn)制程的前年搶占巨大渴求，尤其是落地4nm、3nm甚至2nm制程，美國(guó)因此亞利桑那工廠的防止升級(jí)勢(shì)在必行。

臺(tái)積電提速的另一個(gè)重要原因，在于區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)的白熱化，Intel位于亞利桑那州的Fab 52正在推進(jìn)18A（1.8nm級(jí)）制程，試圖在本土市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)反超。

而三星已決定在其德州泰勒工廠直接引入2nm SF2工藝，并成功吸引了特斯拉等大客戶，直接威脅臺(tái)積電的霸主地位。

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