可替代EUV光刻機 工藝直逼1.4nm 日本開發(fā)全新納米壓印技術(shù)
12月18日消息,可替雖然在EUV光刻機上已經(jīng)出局,光刻但日本依然是機工全球第二大光刻機供應(yīng)商,這幾年日本公司也在憋足勁開發(fā)可替代EUV的藝直印技光刻方案,他們選擇了NIL納米壓印技術(shù)路線。逼n本開
此前日本佳能、發(fā)全尼康等公司有過這種技術(shù)展示,新納現(xiàn)在日本DNP公司(大日本印刷株式會社)也宣布開發(fā)出了10nm的米壓NIL納米壓印技術(shù),可以將電路圖直接印在基板上,可替該技術(shù)可以用于1.4nm工藝的光刻邏輯芯片曝光。
具體技術(shù)上,機工DNP的藝直印技10nm納米壓印技術(shù)采用SADP自對準(zhǔn)雙重圖案技術(shù),一次曝光+兩次圖案能夠制造成雙倍精度的逼n本開芯片,可以滿足先進工藝邏輯芯片的發(fā)全要求,而且功耗優(yōu)勢明顯,新納DNP公司稱其能耗只有當(dāng)前主流工藝的1/10左右。
該公司已經(jīng)研發(fā)NIL技術(shù)超過20年,目前的技術(shù)已經(jīng)可以部分替代EUV光刻,為芯片制造商提供另一種高精度工藝生產(chǎn)的選擇,現(xiàn)在已經(jīng)在跟硬件供應(yīng)商合作啟動技術(shù)評估。
DNP公司預(yù)計在完成客戶驗證,建立量產(chǎn)和供應(yīng)體系之后,預(yù)計2027年開始量產(chǎn)出貨。
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