1月5日消息，原廠2025年的故意D各格全高漲存儲(chǔ)漲價(jià)潮，不僅延續(xù)到了2026年，減產(chǎn)還呈現(xiàn)出愈演愈烈之勢。開年

根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，內(nèi)存2026年第一季由于DRAM內(nèi)存原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程、類存新產(chǎn)能至HBM應(yīng)用，面上以滿足AI服務(wù)器需求，漲最其余市場供給嚴(yán)重緊縮，原廠預(yù)估整體一般型DRAM合約價(jià)將季增55-60%。故意D各格全高漲

消費(fèi)級NAND閃存（對應(yīng)SSD）則因原廠控管產(chǎn)能，減產(chǎn)和服務(wù)器端強(qiáng)勁拉貨排擠其他應(yīng)用，開年估計(jì)各類產(chǎn)品合約價(jià)持續(xù)上漲33-38%。內(nèi)存

TrendForce表示，類存雖然2026年第一季度預(yù)期筆記本出貨將同比減少，面上且部分中低端機(jī)型出現(xiàn)SSD容量降級以壓低BOM 成本的情況，影響消費(fèi)端SSD需求。

然因原廠追求利潤最大化，消費(fèi)端SSD供給受數(shù)據(jù)中心SSD排擠，以高性價(jià)比的大容量QLC產(chǎn)品供應(yīng)最緊，預(yù)估第一季消費(fèi)級SSD合約價(jià)仍將增長至少40%，漲幅為各類NAND閃存產(chǎn)品之最。

手機(jī)品牌方面，即便在淡季對內(nèi)存需求不強(qiáng)，然因移動(dòng)DRAM內(nèi)存供給緊縮情況難在短期內(nèi)改善，且未來數(shù)季合約價(jià)可能再升高，品牌于第一季維持較強(qiáng)拉貨力道。預(yù)計(jì)LPDDR4X、LPDDR5X皆呈現(xiàn)供不應(yīng)求、資源分配不均情況，價(jià)格繼續(xù)走強(qiáng)。

以下為2026年第一季度DRAM內(nèi)存、NAND閃存價(jià)格預(yù)測：

(責(zé)任編輯：焦點(diǎn))